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台积电2nm工艺计划2025年量产 基于全新纳米片电晶体架构
作者:k彩    发布于:2022-06-20 14:25:47    文字:【】【】【
摘要:6月20日消息:在日前举行的台积电北美技术论坛上,台积电正式公布未来先进制程路线图。其中,台积电3nm(N3)工艺将于2022年内量产,而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺,将于2025年量产。 台积电表示,2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构,与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFE
6月20日消息:在日前举行的台积电北美技术论坛上,台积电正式公布未来先进制程路线图。其中,台积电3nm(N3)工艺将于2022年内量产,而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺,将于2025年量产。 台积电表示,2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构,与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管(FinFET)完全不同,会带来更强的性能和更优的能效,但所需要的投资也会更大。三星晶圆代工业务的负责人也曾表示,他们在按计划推进2nm制程工艺在2025年下半年量产。 此前台积电研发资深副总经理Y.J. Mii在台积电技术论坛上表示,公司将在2024年引进ASML高数值孔径极紫外光(high-NA EUV)光刻机。Y.J. Mii在表示:「展望未来,台积电将在2024年引入 High-NA EUV光刻机,以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案,并推动创新。」


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